（一）半導(dǎo)體可控硅模塊集成電路的發(fā)展過(guò)程
         1.電工線路（電阻器?電感線圈?電容器等元器件組成,不包括半導(dǎo)體元器件） 
         2.半導(dǎo)體線路（電路中包括了二極管?晶體管和可控硅管等半導(dǎo)體器件）
         3.分立元器件電路
         4.半導(dǎo)體集成電路
         定義：把可控硅模塊?電容和半導(dǎo)體器件集中制作在同一半導(dǎo)體基片上,並在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)互連的電路?小規(guī)模集成電路(SSI)-中規(guī)模集成電路(MSI)-大規(guī)模集成電路(LSI)-超大規(guī)模集成電路(VLSI)
        （二）半導(dǎo)體可控硅模塊的特性:
         ①導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間；
         ②當(dāng)半導(dǎo)體受到外界光和熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著的變化；
         ③在純浄的半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì)，導(dǎo)電能力會(huì)有顯著増加。

         特性形成:
         ①半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵
         ②本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電作用，就是完全純浄的?結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體?
         ③雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電作用
         2.可控硅模塊PN結(jié)的形成和特性
         P型?N型半導(dǎo)體交界處電子和空穴存在濃度差
         PN結(jié)的特性――単向?qū)щ娦?br />          正向PN結(jié)表現(xiàn)為一個(gè)很小的電阻-正向電流 I隨外加PN結(jié)電壓顯著変化
         反向PN結(jié)表現(xiàn)為一個(gè)很大的電阻-反向電流 I’很小?為飽和電流
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