微觸發(fā)（高靈敏度）單向可控硅模塊一個重要的特性是使用時需要的門極觸發(fā)信號很小，一般它的觸發(fā)電流IGT≤150uA，但觸發(fā)電流隨溫度變化而發(fā)生變化，高溫時觸發(fā)電流變小，80℃時只有常溫（25℃）時的0.1-0.2倍，可控硅模塊容易受干擾而誤觸發(fā)；而低溫時觸發(fā)電流變大，-40℃的觸發(fā)電流是常溫（25℃）時的8-9倍，可控硅模塊不易觸發(fā)。
       因此在設計單向可控硅模塊觸發(fā)電路時，只要有可能，盡量采用觸發(fā)電流大的產品，在門極和陰極間并聯(lián)1KΩ電阻，以防止單向可控硅受干擾而誤導通。但同時必須考慮可能遇到的最低溫度，在最低溫度觸發(fā)電路的驅動電流是否能夠滿足單向可控硅模塊因低溫觸發(fā)電流變大后的導通條件。

       所以，目前大多數(shù)客戶實際控制的使用溫度(殼溫)范圍一般在-20℃～80℃，對于觸發(fā)電流的要求是：IGT(80℃)/IGT(25℃)≥0.3以及IGT(-20℃)/IGT（25℃）≤4.5
       正是因為單向可控硅模塊的溫度特性差，限制了使用者使用單向可控硅模塊的溫度范圍，同時也限制了選擇單向可控硅模塊觸發(fā)電流的范圍。因此，一般客戶選項擇觸發(fā)電流中間范圍的30-70uA以適應高低溫環(huán)境變化的應用要求。
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