怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由
當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時,可把管芯從冷卻套中取出,翻開芯盒再取出芯片,調(diào)查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。
電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其方位在遠離操控極上。
電壓擊穿??煽毓枘K因不能接受電壓而損壞,其芯片中有一個光亮的小孔,有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發(fā)生的高電壓擊穿。
電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。
邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。
以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由,遇到可控硅模塊損壞事情,應鎮(zhèn)定剖析。
昆二晶可控硅模塊,我們用最專業(yè)的態(tài)度,關注您最細微的問題,想客戶之所想,急客戶之所急,用十分的品質(zhì),填平您一分的擔憂。您若對我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555,我們等著您!
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邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。
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