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為什么要在晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容?

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-06-01關(guān)注:-
       在實際晶閘管模塊電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián),常稱為RC阻容吸收電路。
       我們知道,晶閘管模塊有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個PN結(jié)組成。

晶閘管模塊


       在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結(jié),這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管模塊上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。
       為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管模塊安全運行,常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò),利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負(fù)載電感),所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過渡過程中,因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管模塊。同時,避免電容器通過晶閘管模塊放電電流過大,造成過電流而損壞晶閘管。
        由于晶閘管模塊過流過壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收就是常用的保護方法之一。采購可控硅歡迎訪問昆二晶官網(wǎng)。
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