在日常生活中，我們經(jīng)常能看到可控硅模塊的身影，你知道該如何使用可控硅模塊嗎？接下來(lái)就由昆二晶可控硅模塊小編問(wèn)您講解使用可控硅模塊的9條基本準(zhǔn)則：
       1.為了導(dǎo)通閘流管(或可控硅模塊)，必須有門極電流≧IGT,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL.這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。
       2.要斷開(kāi)(切換)閘流管(或可控硅模塊)，負(fù)載電流必須
       3.設(shè)計(jì)可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限(WT2-,+)。
       4.為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至最低。
       5.假如可控硅模塊的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾霩的不飽和電感，以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

       6.選用好的門極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度提高可控硅模塊的dIT/dt承受能力。
       7.若可控硅模塊的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾霩的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。
       8.器件固定到散熱器時(shí)，避免讓可控硅模塊受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
       9.為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度
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