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雙向可控硅模塊十大使用規(guī)則

來源：昆二晶發(fā)布日期：2019-01-09關(guān)注：-
       可控硅模塊，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管模塊。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一，接下來就由昆二晶可控硅模塊小編為大家介紹雙向可控硅模塊十大使用規(guī)則。
       1、為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT ，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL ，這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。   
       2、要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須<ih， 并維持足夠長的時(shí)間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)，在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。
       3、設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3 象限（WT2-，+）。   
       4、為減少雜波吸收，門極連線長度降至最低，返回線直接連至 MT1（或陰極），若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線，門極和 MT1 間加電阻 1kΩ或更小，高頻旁路電容和門極間串接電阻；另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。 

可控硅模塊

 
       5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路，若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾 mH的電感和負(fù)載串聯(lián)；另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。   
       6、假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。   
       7、選用好的門極觸發(fā)電路，避開 3 象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。   
       8、若雙向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻；另一種解決辦法：對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。  
       9、器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力，固定，然后焊接引線，不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 
      10、為了長期可靠工作，應(yīng)保證 Rth j-a足夠低，維持 Tj不高于 Tjmax ，其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
       昆二晶雙向可控硅模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對我們的雙向可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！

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