讓你快速判別雙向可控硅模塊損壞原因
雙向可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊,當可控硅損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,下面昆二晶小編教你4個小妙招,讓你快速判別雙向可控硅模塊損壞原因。
1、電壓擊穿,雙向可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見,其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞,電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。
3、電流上升率損壞,其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、邊緣損壞,他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔,用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕,它導致電壓擊穿。
關于判別雙向可控硅模塊損壞原因的相關介紹,文中已經(jīng)講解的比較清楚了,大家可以大體了解一下,希望對您有所幫助,如果還有什么疑問請繼續(xù)關注我們的網(wǎng)站。
昆二晶雙向可控硅模塊永遠只比對手多一點,就是多為客戶考慮一點。若對我們的雙向可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555。我們竭誠為您服務。
1、電壓擊穿,雙向可控硅因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見,其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞,電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。
3、電流上升率損壞,其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、邊緣損壞,他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔,用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕,它導致電壓擊穿。
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