雙向可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊，當可控硅損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，下面昆二晶小編教你4個小妙招，讓你快速判別雙向可控硅模塊損壞原因。
         1、電壓擊穿，雙向可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見，其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
         2、電流損壞，電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。
         3、電流上升率損壞，其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
         4、邊緣損壞，他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔，用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕，它導致電壓擊穿。

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