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如何簡(jiǎn)單判別單向可控硅模塊的三個(gè)門(mén)級(jí)

來(lái)源:昆二晶發(fā)布日期:2018-04-20關(guān)注:-
       判別單向可控硅模塊三個(gè)門(mén)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)門(mén)極之間的電阻值就可以。
       單向可控硅模塊的陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。
       單向可控硅模塊的控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R10或R1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。

可控硅模塊


       單向可控硅模塊若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。更多關(guān)于單向可控硅模塊的資訊敬請(qǐng)繼續(xù)關(guān)注我們昆二晶官網(wǎng)。
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