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判斷可控硅模塊好壞的4個(gè)關(guān)鍵

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-04-26關(guān)注:-
       可控硅模塊作為電路中非常重要的一個(gè)基礎(chǔ)元件,它也有好壞之分,其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞,所以,在選購可控硅模塊前學(xué)會(huì)如何判斷可控硅的好壞是非常重要的,選擇好的可控硅模塊,可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能。
       其實(shí),判斷可控硅模塊是否完好也并不難,需要從四個(gè)方面來進(jìn)行檢查和判斷:首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)是否完好;其次就是在陰極與陽極之間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通;緊接著就是當(dāng)控制極開路時(shí),陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四就是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時(shí),可控硅模塊應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。
       只有可控硅模塊能夠滿足上述條件,才能說明可控硅模塊是優(yōu)質(zhì)的。當(dāng)然,判斷起來也非常簡(jiǎn)單,只需要使用萬用表的歐姆檔測(cè)量可控硅模塊的極間電阻。具體的做法就是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅模塊已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅模塊不能使用了。

可控硅模塊


       接著就是檢測(cè)可控硅模塊的三個(gè)PN結(jié)是否完好或者損壞,可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽極與控制極之間的電阻,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
       基本上來說,通過以上方法就能夠判斷出可控硅模塊的好壞了。
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