可控硅模塊的頻域測試是對干擾噪聲的抑制能力用插入損耗來進行衡量的，在使用可控硅模塊時，考慮最多的是額定電壓及電流值、耐壓性能、漏電流三項，一起來了解一下吧：
        1、插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)測試，在標(biāo)準(zhǔn)測量法中規(guī)定，在50Ω～75Ω之間的任一阻值的系統(tǒng)內(nèi)測試可控硅模塊的插入損耗特性；
        2、可控硅模塊的時域測試，對于可控硅模塊的EMI信號線濾波器，由于傳輸線本身就會產(chǎn)生一定的電磁干擾，所以測試信號必然會產(chǎn)生一定的衰減；

        3、插入損耗的加載測試，由于使用不合適的材料，可控硅模塊的共模扼流圈不可能保證完全對稱會導(dǎo)致磁環(huán)的飽和，同時寄生差模電感也可能產(chǎn)生磁環(huán)的飽和。
        隨著可控硅模塊測試的工作量急劇增加，對測試設(shè)備在功能、性能、測試速度、測試準(zhǔn)確度等方面的要求也日益提高，希望能夠?qū)δ兴鶐椭?br />         昆二晶可控硅模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！