目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點，對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談雙向可控硅在其使用中如何避免上述問題。
       1.靈敏度
       雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的最小門極電流IGT是有區(qū)別的。

       2.可控硅過載的保護
       雙向可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成雙向可控硅損壞，因此為保證雙向可控硅正常工作，需有條件：
     （1）在雙向可控硅外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；
     （2）雙向可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來??；
     （3）為保證雙向可控硅控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，雙向可控硅過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產生的過壓。由于，雙向可控硅過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。
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