當(dāng)晶閘管模塊損壞后，我們需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面就有昆二晶晶閘管模塊小編為大家介紹導(dǎo)致晶閘管模塊損壞的五大原因：
       1、電壓擊穿。晶閘管模塊因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。
       2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
       3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

       4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。
       5、G-K電壓擊穿。晶閘管模塊G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。
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