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昆二晶解讀:可控硅模塊結(jié)構(gòu)

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-05-12關(guān)注:-
        可控硅模塊,全稱可控硅整流元件,以下是對(duì)可控硅模塊的結(jié)構(gòu)介紹。
        可控硅模塊是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極:第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到,它和二極管一樣是以一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
        以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)榭煽毓枘K的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱 晶閘管T,又因?yàn)榫чl管最初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅模塊SCR.
        在性能上,可控硅模塊不僅具有 單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).
        可控硅模塊能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用.

可控硅模塊


        可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小 功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無 噪音;效率高,成本低等等.
        可控硅模塊的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的 過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通.
        可控硅模塊從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形.
        可控硅模塊元件的結(jié)構(gòu):
        不管可控硅模塊的外形如何,可控硅的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以可控硅模塊是一種四層三端的半導(dǎo)體器件.
        昆二晶可控硅模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!

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