晶閘管通態(tài)電流上升率過高的四大注意事項(xiàng)
我們都知道晶閘管的di/dt,就是我們常說的通態(tài)電流上升率。在晶閘管的使用中,di/dt這項(xiàng)參數(shù)的變化與晶閘管性能的體現(xiàn)有著密切關(guān)系。下面就為大家詳細(xì)說說晶閘管通態(tài)電流上升率過高的四大注意事項(xiàng):
(1) 晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系,di/dt承受能力隨著溫度的上升會有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中,普通晶閘管:Tj≤125°C,高頻、快速晶閘管:Tj≤115°C。
(2) 晶閘管的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力,它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖,可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗,增強(qiáng)器件di/dt承受能力。觸發(fā)脈沖要求為:觸發(fā)電流幅值:IGM = (4至10倍) IGT;觸發(fā)電流上升時(shí)間:tr小于1µs。
(3) 晶閘管在承受過高的di/dt時(shí),會在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫,這種局部瞬時(shí)高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此,使用者在任何時(shí)候,都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值,并且留有一定裕量。
(4) 晶閘管的di/dt與其開通損耗關(guān)系極大,晶閘管高di/dt應(yīng)用于高頻率場合時(shí),需考慮開通損耗上升引起的結(jié)溫上升,用戶應(yīng)考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。
浙江昆二晶整流器有限公司,從2003年至今,已經(jīng)涉及平板式晶閘管15年,從每一個(gè)客戶的建議中,我們不斷提升,形成了今天的昆二晶品牌。強(qiáng)勢入駐互聯(lián)網(wǎng),全力打造線上線下平板式晶閘管首選品牌。昆二晶咨詢電話:0577-62627555。昆二晶人熱忱接待每一通電話!
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(2) 晶閘管的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力,它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖,可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗,增強(qiáng)器件di/dt承受能力。觸發(fā)脈沖要求為:觸發(fā)電流幅值:IGM = (4至10倍) IGT;觸發(fā)電流上升時(shí)間:tr小于1µs。
(3) 晶閘管在承受過高的di/dt時(shí),會在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫,這種局部瞬時(shí)高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此,使用者在任何時(shí)候,都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值,并且留有一定裕量。
(4) 晶閘管的di/dt與其開通損耗關(guān)系極大,晶閘管高di/dt應(yīng)用于高頻率場合時(shí),需考慮開通損耗上升引起的結(jié)溫上升,用戶應(yīng)考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。
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