晶閘管模塊屬于硅元件，硅元件的普遍特性是過(guò)載能力差，因此在使用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)發(fā)生燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象。接下來(lái)我們就一起看看晶閘管模塊燒壞的真實(shí)原因：
       晶閘管模塊燒壞都是由溫度過(guò)高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。
       燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn)，就是說(shuō)如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來(lái)彌補(bǔ)。

       從晶閘管模塊的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問(wèn)題會(huì)造成晶閘管模塊燒損，從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過(guò)解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。
       一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說(shuō)的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問(wèn)題，線路中產(chǎn)生了過(guò)電壓，且對(duì)晶閘管模塊所采取的保護(hù)措施失效。
       電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成，門極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用，目的是當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)將其放大，然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通，然而在短時(shí)間內(nèi)如果電流過(guò)大，主可控硅還沒(méi)有完全導(dǎo)通，大的電流主要通過(guò)相當(dāng)于門極的可控硅流過(guò)，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。
       至于dv/dt其本身是不會(huì)燒壞晶閘管模塊的，只是高的dv/dt會(huì)使晶閘管模塊誤觸發(fā)導(dǎo)通，其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。更多有關(guān)可控硅晶閘管知識(shí)歡迎訪問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
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