晶閘管模塊和IGBT都是功率半導(dǎo)體器件。晶閘管模塊和IGBT的阻斷高壓的能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中特定PN結(jié)的反偏擊穿電壓。在功率器件中反偏PN結(jié)擊穿電壓往往又受到PN結(jié)終結(jié)處表面特性或外界氣氛影響，提前出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。而晶閘管模塊和IGBT的終結(jié)端就是為了避免此現(xiàn)象發(fā)生而專門設(shè)計的特殊結(jié)構(gòu)。結(jié)終端結(jié)構(gòu)可分為截斷型和延伸型兩大類。

        晶閘管模塊的硅片邊緣表面造型、腐蝕、表面鈍化等設(shè)計和工藝就是為了減小表面電場，阻斷外界干擾，這是截斷型的通常做法。
        IGBT和晶閘管模塊不同的是用的是平面工藝，結(jié)終端是延伸型。在主結(jié)邊緣處設(shè)置一些延伸結(jié)構(gòu)，起到主結(jié)耗盡區(qū)向外擴展作用，從而降低其內(nèi)的電場強度，避免提前擊穿發(fā)生。
        溫馨提示：浙江昆二晶整流器有限公司生產(chǎn)的可控硅晶閘管模塊有著15年的應(yīng)用經(jīng)驗，匹配安裝插片式散熱器解決了正泰集團在變頻器功率器件實際散熱問題，咨詢熱線：0577-62627555！