晶閘管模塊正常導(dǎo)通是門極信號(hào)觸發(fā)。當(dāng)門極觸發(fā)信號(hào)強(qiáng)度達(dá)到晶閘管模塊國標(biāo)規(guī)定時(shí)，晶閘管正向?qū)?。此時(shí)，正向電流一定要超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的維持電流，否則，無法導(dǎo)通。
        有兩種情況可使晶閘管模塊誤導(dǎo)通：選用的晶閘管“斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓”即俗稱正向峰值耐壓(或稱正向轉(zhuǎn)折電壓)偏低。所加正向電壓峰值超過正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管模塊立即導(dǎo)通。因此時(shí)正向漏電流大幅上升(稱正向雪崩電流)，輸入載流子滿足導(dǎo)通條件。使用過壓保護(hù)措施可避免誤導(dǎo)通。所加正向電壓上升率dV/dt超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值。晶閘管模塊阻斷時(shí)其陰陽極之間相當(dāng)于一個(gè)結(jié)電容當(dāng)突加陽極電壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生充電電容電流，此電流可能導(dǎo)致晶閘管模塊誤導(dǎo)。

        因此對(duì)管子的最大正向電壓上升率必須加以限制，一般采用阻容吸收元件并聯(lián)在晶閘管模塊兩端的辦法加以限制。更多有關(guān)可控硅知識(shí)歡迎訪問昆二晶官網(wǎng)。、
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