可控硅模塊作為一種常見的電路控制方案，在很多電路中為開發(fā)者們所熟知?？煽毓枘K雖然性能優(yōu)越，但在某些時(shí)候其也會(huì)出現(xiàn)失控的情況，開發(fā)者必須提前掌握能夠造成可控硅模塊失控的情況來針對(duì)電路進(jìn)行保護(hù)。本文就將針對(duì)可控硅失控的情況進(jìn)行分析，并總結(jié)成三個(gè)原因。
       一、可控硅模塊的正向阻斷力降低
       首先來看第一個(gè)造成可控硅元件失去控制的原因，那就是可控硅的正向阻斷力降低。在平時(shí)的應(yīng)用中，如果可控硅長(zhǎng)時(shí)間不用，而同時(shí)又因?yàn)槊芊獠缓玫木壒适艹?，那么可控硅元件正向阻斷能力是很輕易降低的，可控硅元件的正向阻斷能力降低到低于整流變壓器的二次電壓，硅元件就不要等觸發(fā)脈沖到來就會(huì)自然的導(dǎo)通，導(dǎo)致脈沖控制不會(huì)起作用，輸出的電壓波形是1個(gè)正半波，使得勵(lì)磁電壓提升。

       二、維持電流過小
       導(dǎo)致可控硅元件失控的第二個(gè)常見原因是電路中的維持電流過小，由于發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子是以電感為主的大電流負(fù)載，對(duì)于半控橋來講，電壓過零以后，電流不是零，即使半控橋在電感負(fù)載側(cè)設(shè)有續(xù)流管，不過要是續(xù)流管的管壓降高于導(dǎo)通的可控硅元件的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過外，仍有部分電流在原導(dǎo)通的可控硅模塊上流過。這個(gè)電流雖然是衰減的，但是在外加電壓整個(gè)負(fù)半周，電流仍未能減到小于維持電流，到下1個(gè)正半周到來時(shí)，該硅元件就不需要等觸發(fā)脈沖到來就繼續(xù)導(dǎo)通。如此連續(xù)下去，一相可控硅模塊連續(xù)導(dǎo)通，同樣會(huì)因輸出大電流而造成誤強(qiáng)勵(lì)。
       三、觸發(fā)器丟脈沖
       觸發(fā)器丟脈沖是第三個(gè)造成可控硅元件失去控制的重要原因，在電路系統(tǒng)正常運(yùn)行的前提下，如果三相脈沖正常，即使維持電流很小可控硅元件也可以確保正常換相，不會(huì)出現(xiàn)失控的情況，而一旦出現(xiàn)了丟脈沖的情況，則可控硅模塊就不可以確保正常換相，元件本身也一定會(huì)失控。
       在電路設(shè)計(jì)中可控硅失控情況的因素大多數(shù)是由這三種情況引起的。針對(duì)正向阻斷力降低，需要重視電路的密封程度，而對(duì)于維持電流過小則需要開發(fā)者持續(xù)關(guān)注大電流。丟脈沖現(xiàn)象需要開發(fā)者保持可控硅的正常換相，只要針對(duì)以上三點(diǎn)進(jìn)行注意，相信大家都能較為容易的控制可控硅模塊的失控現(xiàn)象。更多有關(guān)可控硅知識(shí)歡迎訪問昆二晶官網(wǎng)。
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