單向可控硅的導(dǎo)通條件：
         1、單向可控硅處于規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，一般-10℃到60℃；
         2、單向可控硅陽極和陰極之間施加了正向電壓，且電壓幅值至少應(yīng)超過0.7V；
         3、門極與陰極之間施加正向電壓，電壓幅值應(yīng)超過觸發(fā)門檻電壓，必須大于0.3V，一般為3~10V；
         4、單向可控硅導(dǎo)通電流，至少應(yīng)大于其擎住電流，一般是維持電流的2倍左右；
         5、門極電壓施加的時(shí)間，必須超過開通時(shí)間，一般應(yīng)超過6μs。

         單向可控硅的阻斷條件：
         1、單向可控硅處于規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，一般-10℃到60℃；
         2、流過單向可控硅的電流，必須小于維持電流；
         3、流過單向可控硅的電流保持為零的時(shí)間，必須小于其關(guān)斷時(shí)間；
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