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單向可控硅損壞的原因

來源:昆二晶發(fā)布日期:2018-05-26關(guān)注:-
      (1)過壓擊穿
       單向可控硅不能承受電壓而損壞,單向可控硅對過壓的承受能力幾乎沒有時間的,即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿。過壓擊穿特征:芯片中有一個光潔的小孔。檢查單向可控硅兩端RC吸收回路是否有燒壞或失效的,即可避免干擾脈沖所引起的瞬間過壓。
      ( 2)過流擊穿
       電流超過額定電流,并在單向可控硅芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng),使芯片溫度升高,失效且不能恢復(fù)。過流擊穿特征:電子元器件表面有燒焦現(xiàn)象,痕跡特征是芯片出現(xiàn)坑洞。選擇可控硅耐壓2~3倍。

可控硅模塊


      (3)過熱擊穿
       工作電流并不超過單向可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿。特征:電子元器件表面有燒焦現(xiàn)象,痕跡特征是芯片出現(xiàn)坑洞。注意環(huán)境溫度,保持單向可控硅與散熱器之間的接觸面良好。
       昆二晶單向可控硅模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對我們的單向可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!

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